这起专利侵权案始于美国EPC于2023年向加州地区法院和ITC（美国国际贸易委员会）提起诉讼，声称英诺赛科侵犯了EPC的4项专利，包括US’294号专利和其他三项美国专利，并寻求禁售与侵权赔偿。

不久，EPC主动撤诉其中两项专利。ITC最终裁定第三项专利没有侵权。但对于US’294号专利，ITC裁定部分权利要求有效且被侵权。

英诺赛科坚决反对ITC有关US’294号专利有效及侵权的裁决，并且已于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为ITC关于US’294号专利的判决有误，应予以推翻。

3月18日，美国专利局（USPTO）对EPC涉案专利(US’294号专利)作出最终裁定，判决该专利所有权利要求均无效且应被撤销。USPTO在其最终裁决中指出EPC的US’294号专利所有权利要求均无效，因为它们仅仅是重复氮化镓（GaN）领域的现有且被广泛使用的通用技术。同时，USPTO确定了EPC对英诺赛科的指控并无根据，属恶意竞争行为。

这一判决从根本上否定了EPC针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在EPC发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。

英诺赛科成立于2015年，目前已经成为全球最大的氮化镓半导体器件IDM（全产业链模式）制造商，集成并简化了包括设计、制造、封装、电路应用和销售在内的所有流程，持续引领氮化镓技术前沿。2024年6月，英诺赛科向港交所递交了上市申请，并于2025年1月成功挂牌。

该公司产品覆盖从低压到高压、从消费电子到工业应用的广泛领域，包括消费电子快速充电器、可再生能源电池管理系统、汽车电子LiDAR系统以及数据中心电源装置等。截至2024年6月30日，公司拥有319项专利和430项专利申请。此外，公司还成功导入ASML光刻机，进一步提升了8英寸硅基氮化镓晶圆的生产工艺。

来源：电子工程专辑

编辑：Sharon